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描述：AP10N10BSI 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（Rds (on)）、低栅极电荷，并且能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护，或应用于其他开关类场景。
一般特性
漏源电压（Vds）= 100V，漏极电流（Id）= 5A；
当栅源电压（Vgs）为 10V 时，导通电阻（Rds (on)）≤ 140 毫欧（典型值：110 毫欧）。
应用
LED 照明
负载开关
雾化器
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描述：AP10N10BSI 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（Rds (on)）、低栅极电荷，并且能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护，或应用于其他开关类场景。
一般特性
漏源电压（Vds）= 100V，漏极电流（Id）= 5A；
当栅源电压（Vgs）为 10V 时，导通电阻（Rds (on)）≤ 140 毫欧（典型值：110 毫欧）。
应用
LED 照明
负载开关
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