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描述：AP3230D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（R₍DS (ON)₎）、低栅极电荷，并且能在栅极电压低至 2.5V 时工作。该器件适用于电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（V₍DS₎）= 20V，漏极电流（I₍D₎）= 2.3A；
导通电阻（R₍DS (ON)₎）< 65mΩ（在栅源电压 V₍GS₎=10V 时，典型值：52mΩ）。
应用
电池保护；
负载开关；
不间断电源。
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描述：AP3230D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（R₍DS (ON)₎）、低栅极电荷，并且能在栅极电压低至 2.5V 时工作。该器件适用于电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（V₍DS₎）= 20V，漏极电流（I₍D₎）= 2.3A；
导通电阻（R₍DS (ON)₎）< 65mΩ（在栅源电压 V₍GS₎=10V 时，典型值：52mΩ）。
应用
电池保护；
负载开关；
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