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描述:P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 是兼容 I²C(集成电路间总线)的 2/4/8/16 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含 256/512/1024/2048×8 位的存储阵列,每页 16 字节。P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 为不同应用场景提供了相应的器件型号。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:典型值 0.2mA(400kHz 时);
写入电流:典型值 0.8mA(400kHz 时)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序读取与随机读取功能。
页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护功能。
额外的可写锁定页与 128 位序列号。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃时)。
封装:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、DFN-8/UDFN-8、SOT23-5、TSOT23-5,以及 WLCSP6。
描述:P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 是兼容 I²C(集成电路间总线)的 2/4/8/16 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含 256/512/1024/2048×8 位的存储阵列,每页 16 字节。P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 为不同应用场景提供了相应的器件型号。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:典型值 0.2mA(400kHz 时);
写入电流:典型值 0.8mA(400kHz 时)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序读取与随机读取功能。
页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护功能。
额外的可写锁定页与 128 位序列号。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃时)。
封装:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、DFN-8/UDFN-8、SOT23-5、TSOT23-5,以及 WLCSP6。
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