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P24C08C-SSH-MIR
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P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 是兼容 I²C(集成电路间总线)的 2/4/8/16 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含 256/512/1024/2048×8 位的存储阵列,每页 16 字节。P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 为不同应用场景提供了相应的器件型号。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
参数品牌:普冉
产品参数
品牌:普冉
型号:P24C08C-SSH-MIR
规格:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、SOT23-5
单位:深圳市888集团科技有限公司
包装说明:盘装
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产品详情

描述:P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 是兼容 I²C(集成电路间总线)的 2/4/8/16 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含 256/512/1024/2048×8 位的存储阵列,每页 16 字节。P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 为不同应用场景提供了相应的器件型号。

特性

单电源电压与高速模式

工作电压可低至 1.7V;

2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;

1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。

低功耗 CMOS 技术

读取电流:典型值 0.2mA(400kHz 时);

写入电流:典型值 0.8mA(400kHz 时)。

施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。

顺序读取与随机读取功能。

页写入模式,允许部分页写入。

整个存储阵列的写保护功能。

额外的可写锁定页与 128 位序列号。

自定时写入周期。

高可靠性

耐久性:100 万次写入周期;

数据保持时间:100 年;

人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;

闩锁能力:±200mA(25℃时)。

封装:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、DFN-8/UDFN-8、SOT23-5、TSOT23-5,以及 WLCSP6。


P24C08C-SSH-MIR

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特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
品牌:普冉
型号:P24C08C-SSH-MIR
规格:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、SOT23-5
单位:深圳市888集团科技有限公司
包装说明:盘装
18124021621
产品详情

描述:P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 是兼容 I²C(集成电路间总线)的 2/4/8/16 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含 256/512/1024/2048×8 位的存储阵列,每页 16 字节。P24C02C/P24C04C/P24C08C/P24C16C 为不同应用场景提供了相应的器件型号。

特性

单电源电压与高速模式

工作电压可低至 1.7V;

2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;

1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。

低功耗 CMOS 技术

读取电流:典型值 0.2mA(400kHz 时);

写入电流:典型值 0.8mA(400kHz 时)。

施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。

顺序读取与随机读取功能。

页写入模式,允许部分页写入。

整个存储阵列的写保护功能。

额外的可写锁定页与 128 位序列号。

自定时写入周期。

高可靠性

耐久性:100 万次写入周期;

数据保持时间:100 年;

人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;

闩锁能力:±200mA(25℃时)。

封装:PDIP-8、SOP-8、TSSOP-8、DFN-8/UDFN-8、SOT23-5、TSOT23-5,以及 WLCSP6。


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