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描述:P24C128D 是一款兼容 I²C 的串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 128 千位(16 千字节)的存储阵列,按每页 64 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 时支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 时支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.2mA(400kHz 时,典型值);
写入电流:0.8mA(400kHz 时,典型值)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序与随机读取功能。
页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护。
额外的可写锁定页和 128 位序列号。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
静电放电(ESD)保护(人体模型(HBM)):6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃)。
封装:PDIP8、SOP8、TSSOP8、MSOP8、DFN8/UDFN8、SOT23-5、TSOT23-5。
描述:P24C128D 是一款兼容 I²C 的串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 128 千位(16 千字节)的存储阵列,按每页 64 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 时支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 时支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.2mA(400kHz 时,典型值);
写入电流:0.8mA(400kHz 时,典型值)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序与随机读取功能。
页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护。
额外的可写锁定页和 128 位序列号。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
静电放电(ESD)保护(人体模型(HBM)):6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃)。
封装:PDIP8、SOP8、TSSOP8、MSOP8、DFN8/UDFN8、SOT23-5、TSOT23-5。
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