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描述:P24C256B 是一款兼容 I²C 的串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 256 千位(32 千字节)的存储阵列,按每页 64 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.2mA(400kHz 时,典型值);
写入电流:0.8mA(400kHz 时,典型值)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序读取与随机读取功能。
64 字节页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护功能。
额外的可写锁定页。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃时)。
封装:PDIP8、SOP8(150mil)、MSOP8、TSSOP8、DFN8、UDFN8、SOT23-5。
描述:P24C256B 是一款兼容 I²C 的串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 256 千位(32 千字节)的存储阵列,按每页 64 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速模式
工作电压可低至 1.7V;
2.5V 至 5.5V 范围内支持 1MHz 时钟;
1.7V 至 5.5V 范围内支持 400kHz 时钟。
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.2mA(400kHz 时,典型值);
写入电流:0.8mA(400kHz 时,典型值)。
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)。
顺序读取与随机读取功能。
64 字节页写入模式,允许部分页写入。
整个存储阵列的写保护功能。
额外的可写锁定页。
自定时写入周期。
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期;
数据保持时间:100 年;
人体模型(HBM)静电放电防护:6kV;
闩锁能力:±200mA(25℃时)。
封装:PDIP8、SOP8(150mil)、MSOP8、TSSOP8、DFN8、UDFN8、SOT23-5。
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