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描述:P24C512 是一款兼容 I²C 的 512 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 64K×8 位的存储阵列,按每页 128 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速
工作电压低至 1.7V
2.5V 至 5.5V 时支持 1MHz 时钟
1.7V 至 5.5V 时支持 400kHz 时钟
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.5mA(400kHz 时,最大值)
写入电流:2.5mA(400kHz 时,最大值)
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)
顺序与随机读取功能
128 字节页写入模式,允许部分页写入
整个存储阵列的写保护
额外的可写锁定页
自定时写入周期
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期
数据保持时间:100 年
人体模型(HBM):6kV
闩锁能力:±200mA(25℃)
封装:PDIP、SOP、TSSOP 以及 DFN/UDFN
描述:P24C512 是一款兼容 I²C 的 512 千位串行电可擦除可编程存储器(EEPROM)器件。它包含一个 64K×8 位的存储阵列,按每页 128 字节进行组织。
特性
单电源电压与高速
工作电压低至 1.7V
2.5V 至 5.5V 时支持 1MHz 时钟
1.7V 至 5.5V 时支持 400kHz 时钟
低功耗 CMOS 技术
读取电流:0.5mA(400kHz 时,最大值)
写入电流:2.5mA(400kHz 时,最大值)
施密特触发器、带滤波的输入(用于噪声抑制)
顺序与随机读取功能
128 字节页写入模式,允许部分页写入
整个存储阵列的写保护
额外的可写锁定页
自定时写入周期
高可靠性
耐久性:100 万次写入周期
数据保持时间:100 年
人体模型(HBM):6kV
闩锁能力:±200mA(25℃)
封装:PDIP、SOP、TSSOP 以及 DFN/UDFN
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